SK海力士的DRAM市场占有率超过了30%

随着人工智能(AI)的蓬勃发展，对高带宽存储器(HBM)的需求不断增加，SK海力士的全球DRAM市场占有率在今年第二季度突破了30%。与市场领头羊三星电子(Samsung Electronics)的差距达到了10年来的最低点。

据市场调查公司Omdia 9月3日透露，今年第二季度全球DRAM销售额为107亿美元，比去年同期下降了57%，但比第一季度增长了15%。

从厂商来看，排名第一的三星电子的DRAM销售额为41亿美元，仅比上一季度增长3%。其市场占有率从第一季度的42.8%下降到了38.2%，下降了4.6个百分点。SK海力士第二季度的DRAM销售额增长了49%，达到34亿美元。市场占有率为31.9%，较上一季度的24.7%上升7.2个百分点。

因此，SK海力士以25.0%的占有率从美光公司手中夺回了第2名。与三星电子的市场占有率差距从第一季度的18.1个百分点缩小到第二季度的6.3个百分点。

两家公司的DRAM股价差距缩小到10个百分点以内。这种事很少发生。“两家芯片制造商之间的差距处于10年来的最低水平，”OMDIA表示。

三星的年度市场份额在2013年最后一次保持在30%的范围内，达到36.2%。另一方面，SK海力士在过去10年中的年市场份额从未超过30%。此后，三星电子和SK海力士的市场占有率分别保持在40%左右和20%左右。

SK海力士在今年第一季度(1 ~ 3月)下滑到了第3位，但在第二季度(3 ~ 6月)因人工智能(AI)热潮而反弹。这是因为HBM进入了用于人工智能领域数据处理的图形处理器（GPU），如 ChatGPT。Omdia表示：“随着人工智能需求的全面发展，用于128GB或更大容量服务器的HBM和大容量产品的销售表现强劲。由于高端DRAM的扩张，DRAM价格下跌的速度有所放缓。”

此外，据Omdia称，人工智能需求的强劲势头预计将主动给DRAM市场带来变化。特别是，Omdia预测，HBM的需求预计将在今年年初增长50%以上，今年和明年将增长100%以上。

三星电子和SK海力士之间的竞争也越来越激烈，因为HBM被认为是摆脱半导体市场不景气的出路。SK海力士21日表示，已完成HBM3E的开发，并开始向Nvidia提供HBM3E样品，以进行性能验证。HBM3E是继目前市场上规格最高的第四代产品(HBM3)之后的第五代产品。此前，SK海力士于2021年开发出了世界首款HBM3，并于2022年成功量产。

在HBM开发的竞争中，SK海力士领先三星电子一步。《华尔街日报》最近就SK海力士的HBM事业报道称，“10年前，SK海力士比竞争对手更积极地押注HBM，成为人工智能应用崛起的早期赢家之一。”

三星电子正在加快赶超SK海力士的步伐。有分析认为，三星电子从第四季度开始向英伟达供应HBM3，将动摇SK海力士的HBM3垄断地位。

9月1日，三星电子宣布已开发出业界首款12纳米32千兆（Gb）DDR5 DRAM，预计这将有助于该芯片制造商提高其HBM产能。这是因为32 Gb DDR5存储器可以在没有硅通孔（TSV）连接的情况下制造，这是生产HBM的关键部件。这意味着芯片制造商可以将所有TSV工艺设备集中在HBM生产上。

三星电子计划在今年内大规模生产12纳米32Gb DDR5 DRAM。三星电子存储器事业部DRAM开发副总裁Hwang Sang-jun表示：“有了这款12纳米32 Gb DRAM，我们已经获得了一个可以创建1TB模块的解决方案.三星电子将继续以差异化的工艺和设计技术克服存储器技术的局限。”